SiHR080N60E N沟道功率MOSFET

Vishay/SiliconSense _SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK _® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为电信、工业和计算应用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型导通电阻（10V时）和低至42nC的超低栅极电荷，从而降低了导通和开关损耗，因此可在电源系统 >2kW中节约能源并提高效率。该封装还提供开尔文连接，以提高开关效率。Vishay/Siliconix _SiHR080N60E 设计用于承受雪崩模式下的过压瞬变，保证限值通过100%_UIS测试。


特性：
第四代E系列技术
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容(CO (er))
减少开关和导通损耗
顶部冷却
雪崩能量等级 (UIS)
翼形引线具有出色的温度循环能力
无铅、无卤、符合RoHS指令

应用：
服务器和电信电源
开关模式电源(SMPS)
功率因数校正(PFC)电源
照明
高强度放电 (HID)
荧光灯镇流器照明

工业
焊接
感应加热
电机驱动器
电池充电器
太阳能（光伏逆变器）