安森美650V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美半导体TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL具有1级湿度灵敏性等级()（MSL 1）
特性
最高结温：175 °C
无引线薄型SMD封装
开尔文源极配置
超低栅极电荷
低有效输出电容
体二极管的零反向恢复电流
低RDS(on)
额定电压：650 V
100%_经雪崩测试
无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
湿度灵敏性等级：1级
应用
电信
云系统
工业
电信电源
服务器电源
UPS/ESS
太阳能
