安森美半导体 NTMFS0D7N04XM单N沟道功率MOSFET是标准的40V栅极电平功率MOSFET，具有领先的导通电阻，适用于电机驱动器应用。较低的导通电阻和栅极电荷可降低导通和驱动损耗。用于体二极管反向恢复的良好软控制可降低应用中的电压尖峰应力，无需额外的缓冲电路。
特性
低RDS (on)，可最大限度地降低导通损耗
低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
占位面积小（5mmx6mm），设计紧凑
无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
电机驱动器
电池保护
O型圈
规范
漏极-源极电压：40V（最大值）
最大栅极-源极电压：±20V
最大连续漏极电流范围：38.5A至323A
最大功耗：134W
脉冲漏极电流：2201A（最大值）
最大体二极管拉电流：202A
单雪崩能量：987mJ（最大值）
总栅极电荷：72.1nC（典型值）
阈值栅极电荷：13.6nC（典型值）
栅极-源极电荷：20.6nC（典型值）
栅极至漏极电荷：13.3nC（典型值）
反向恢复电荷：139nC（典型值）
工作结温范围：-55 °C至+175 °C
典型开关时间
接通延迟：25.8ns
上升：8.12ns
关断延迟：39.1ns
下降：6.32ns
典型电容
4621 pF输入
3328 pF输出
反向传输：68.2pF
热阻
结壳热阻：1.11°C/W
结点至环境热阻：39.3°C/W
