Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3522R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告故障包括过温、过流和UVLO监控。
特性
_带集成栅极驱动器的650V GaN-on-Si FET
_集成高精度栅极偏置电压
_200V/ns FET释抑
_3.6MHz开关频率
_15V/ns到150V/ns转换速率，用于优化开关性能和缓解EMI
_在7.5V至18V电源下工作
_高级电源管理
_数字温度PWM输出
_强大的保护功能
_逐周期过流和锁存短路保护，响应时间<100ns
_硬开关时可承受720 V浪涌
_针对内部过热和UVLO监控的自我保护
_顶部冷却12mm × 12mm VQFN封装将电气路径和热路径分开，以实现最低的功率环路电感
应用
_开关模式电源转换器
_商户网络和服务器PSU
_商用电信用整流器
_太阳能逆变器和工业电机驱动器
_不间断电源
