SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET

发布时间2024-5-28 9:48:00关键词：SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET

摘要

Vishay/Siliconix SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET是符合AEC-Q101标准的TrenchFET®功率MOSFET。SQS660CENW具有18A ID和60V VDS。该单一配置器件采用PowerPAK® 1212-8W封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+175°C。
特性

_TrenchFET®功率MOSFET
_符合 AEC-Q101 标准
_经100%_Rg和UIS测试

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