SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET

Vishay/SiliconSense _SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET是一款TrenchFET® 第五代功率MOSFET，采用电源倒装技术，可提高散热性能。SiSD5300DN的工作结温范围为-55°C至+150°C，具有非常低的漏源电阻和栅极电荷品质因数 (FOM)。应用包括直流/直流转换器、同步整流、电池管理、 O型圈和负载开关。
特性

_TrenchFET®第五代功率MOSFET
_极低RDS x Qg品质因数 (FOM)
_电源倒装技术提高了散热性能
_100%通过Rg和UIS测试

_单配置
_PowerPAK® 1212-F封装类型
_无铅、无卤，符合RoHS指令

应用

_直流/直流转换器
_同步整流

_电池管理
_O形圈和负载开关

规范

_漏极-源极电压：30V（最大值）
_最大栅极-源极电压：+16V/-12V
_脉冲漏极电流：500A（最大值）
_连续漏极电流：198A
_漏极-源极导通电阻：87Ω
_功率耗散：57W
_栅极-源极阈值电压：2 V

_栅极电荷：27nC
_90 ns 上升时间
_15 ns 下降时间
_单脉冲雪崩电流：38A（最大值）
_单脉冲雪崩能量：72mJ（最大值）
_工作结温范围：-55 °C至+150 °C