NVMFS5C604N单N沟道功率MOSFET

安森美NVMFS5C604N单N沟道功率MOSFET具有288A的连续漏极电流、10V时1.2mΩ的RDS(ON) 和60V的漏-源电压。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。
特性

_占位面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
_低RDS(on)，最大限度地降低了导通损耗
_低QG 、低电容，使驱动器损耗降到最小

_NVMFS5C604NWF - 可湿性侧翼选项，用于增强型光学检测
_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
_无铅，符合RoHS指令

应用

_反向电池保护
_开关电源

_电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）

规范

_最大连续漏极电流：288A
_10V时RDS(ON) ：1.2mΩ（最大值）
_漏极-源极电压：60V
_栅极-源极电压：±20V

_脉冲漏极电流：900A
_工作结温和存放温度范围：-55°C至175°C