NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET

安森美半导体 NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET非常适用于电源负载开关、电池管理和保护（反向电流、过压和反向负电压）。NTMFS005P03P8Z的工作结温范围为-55°C至+150°C，具有-30V漏极-源极电压、2.7mΩ 导通电阻（10V时）以及164A漏极/待机电流。安森美半导体 NTMFS005P03P8Z采用5mmx6mm SO8-FL封装，这是y一种先进的封装技术，可节省空间并实现出色的导热性能。
特性

_超低RDS(on)，提高系统效率
_先进的封装技术，可节省空间并实现出色的导热性

_5 mm x 6 mm、SO8-FL封装
_无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

应用

_保护特性
_反向电流：
_过压
_反向负电压

_电源负载开关
_电池管理