BM6021x高侧和低侧驱动器

ROHM Semiconductor BM6021x高侧和低侧驱动器可在高达1200V电压下工作，进行自举操作，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。BM6021x高侧和低侧驱动器内置米勒钳位和欠压闭锁 (UVLO) 功能。ROHM Semi BM6021x高压、高侧和低侧驱动器设计用于MOSFET栅极驱动器和IGBT栅极驱动器应用。
特性

_符合AEC-Q100标准
_高侧浮动电源电压：1200V
_有源米勒钳位

_欠压闭锁功能
_兼容3.3V和5.0V输入逻辑

应用

_MOSFET栅极驱动器
_IGBT栅极驱动器