NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块

安森美NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块是2组模块，具有两个3mΩ或4mΩ 1200V SiC MOSFET开关和一个采用Zirconia Doped Alumina (HPS) 直接覆铜 (DBC) 或氮化硅 (Si3N4) DBC的热敏电阻。采用F2封装的Sic MOSFET开关采用M3S技术，具有15V至18V栅极驱动范围。应用包括直流-交流、直流-直流和交流-直流转换。
特性

_3mΩ或4mΩ、1200V M3S SiC MOSFET半桥
_F2封装选项
_Zirconia Doped Alumina (HPS) 直接覆铜 (DBC)
_氮化硅 (Si3N4) 直接覆铜 (DBC)
_栅极驱动范围：15V至18V

_热敏电阻器
_预涂热界面材料 (TIM)
_压配引脚
_无铅、无卤，符合RoHS指令

应用

_太阳能逆变器
_不间断电源 (UPS)

_电动汽车 (EV) 充电站
_工业电源