NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET® III MOSFET

安森美半导体NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET® III MOSFET是一款高压超级结（SJ）MOSFET，采用电荷平衡技术。该功率MOSFET具有更低的导通损耗、出色的开关性能，并可承受极端dv/dt速率。NVBG095N65S3F N沟道SUPERFET III MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，无需额外元件，提高了系统可靠性。这款MOSFET符合AEC−Q101标准，具有PPAP功能，无铅，符合RoHS指令。典型应用包括汽车车载充电器和汽车直流/直流转换器（用于BEV）。
特性

_700V（TJ = 150°C）
_典型RDS(on) = 78m
_超低栅极电荷（典型Qg = 66nC）
_低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 597pF)时
_100%_经雪崩测试

_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
_无铅
_符合RoHS指令

应用

_汽车板载充电器
_纯电动汽车用直流/直流转换器