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DDB6U134N16RR IGBT硅模块

发布时间2023-12-15 10:46:00关键词:DDB6U134N16RR IGBT硅模块
摘要

DDB6U134N16RR IGBT硅模块

英飞凌科技DDB6U134N16RR IGBT硅模块具有1.35V电压(100A正向电压时)和500W功率耗散。这些器件的最大工作温度范围为-40°C至+150°C。英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块采用45mm x 107.5mm x 20.5mm(宽 x 长 x 高)封装。

特性

  • 正向电压:1.35V(10时0A)
  • 最大工作温度范围:-40°C至+150°C
  • 功率耗散:500W
  • 输出电流:134A
  • 正向电流:35A

尺寸 (mm)

机械图纸 - Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT硅模块

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