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Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块

发布时间2023-12-6 11:53:00关键词:Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块
摘要

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块

BT7001/S
Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块基于微图案沟槽技术,可减少损耗,提供高可控性。与方形沟槽单元格相比,该单元格概念的特点是可实现由亚微米台面分隔的平行沟槽单元格。专为工业驱动应用和太阳能系统优化的芯片具有低静态损耗、高功率密度和软开关功能。这些模块的最高工作温度为+175°C,可显著提高功率密度。

特性

  • 过载能力
  • 低通态电压
  • 增强可控性
  • 改进二极管
  • 互连可靠性高
  • 简化逆变器系统
  • 增加功率
  • 帧大小跳跃
  • 低损耗
  • 优化驱动

应用

  • 电机控制和驱动器
  • 商用、建筑和农用车辆
  • 光伏能源系统解决方案
  • 不间断电源(UPS)

规范

  • 1200V或2300V电压等级
  • 集电极连续电流:300A至1800A
  • 集电极-发射极饱和电压范围:1.5V至1.8V(典型值)
  • 栅极-射极漏电流:100nA
  • 工作温度范围:-40°C至+175°C

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