安森美半导体 NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET非常适用于电源负载开关、电池管理和保护(反向电流、过压和反向负电压)。NTMFS005P03P8Z的工作结温范围为-55°C至+150°C,具有-30V漏极-源极电压、2.7mΩ 导通电阻(10V时)以及164A漏极/待机电流。安森美半导体 NTMFS005P03P8Z采用5mmx6mm SO8-FL封装,这是y一种先进的封装技术,可节省空间并实现出色的导热性能。
特性
_超低RDS(on),提高系统效率
_先进的封装技术,可节省空间并实现出色的导热性
_5 mm x 6 mm、SO8-FL封装
_无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令
应用
_保护特性
_反向电流:
_过压
_反向负电压
_电源负载开关
_电池管理
NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET
摘要
NTMFS005P03P8Z单P沟道功率MOSFET